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硅片在快速热处理系统中的温度测量
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中文摘要
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国外为了提高计算机硅片的集成度和产品的合格率,开展了硅片快速热处理的研究,在这项新技术中温度测量起着关键的作用,由于地快速热化学蒸汽沉积过程中,硅片表面发射率变化影响了测温的准确性。本文介绍了在用辐射法测温时,同时测辐射量和反射率2个参数,然后由反射率计算发射率,通过计算机对测量结果进行了补偿的新技术,并介绍了原理,实验设备和初步实验结果。
英文摘要
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贺宗琴
长城计量测试技术研究所!北京市,100095
中文关键词
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硅片 温度测量 发射率 快速热处理 集成电路
英文关键词
:
基金项目
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