基于霍耳效应的气敏传感器的研制
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The Manufacture of the Gas Sensor Based on Hall Effect
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    利用霍耳效应成功地研制了WO3半导体气敏传感器.这种新型传感器不仅可以根据需要输出几毫伏至几十毫伏甚至几百毫伏的直流电压,而且具有其它半导体传感器所没有的优点--无需另外加热.在实验中对NO2气体进行检测,结果表明:传感器的输出霍耳电动势在几毫伏到几百毫伏之间,且随待测气体浓度变化而变化.因此,利用霍耳效应制作气敏传感器是一条完全可行的新思路.

    Abstract:

    The WO3 based gas sensor is based on hall effect. The semiconductor material has selective adsorption to the gas that changes the electronic concentration which also raises hall coefficient , corresponding changes in the export of hall electromotive force. The experimental results show that the outputed voltage is from several millivolt to hundreds of millivolt and alters when the tensity of NO2 changed. The conclution is that this gas sensor based hall effect is a prospective gas sensor of new type.

    参考文献
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引用本文

林金阳,黄世震,林伟,陆培民.基于霍耳效应的气敏传感器的研制[J].计测技术,2006,26(Z1):41~44:
[doi].

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